百威手机版注册_百威娱乐登录平台_百威平台登录地址盖世汽车讯 2月27日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）宣布推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车电源应用中对更高效率和功率密度日益增长的需求。该产品系列包括工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱（totem-pole）PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和相移全桥（PSFB）拓扑进行了优化。

　　这些MOSFET非常适合用于典型的工业应用，例如电动汽车充电、工业驱动、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信，以及汽车领域，例如车载充电器（OBC）和DC-DC转换器等。

　　该CoolSiC MOSFET 750 V G1技术具有出色的RDS（on）x Q fr和出色的RDS（on）x Q oss品质因数（FOM），分别在硬开关和软开关拓扑中实现超高效率。 其高阈值电压（V GS（th），典型值为4.3 V）与低Q GD/Q GS比率的独特组合确保了针对寄生导通的高稳健性，并实现了单极栅极驱动，从而提高了功率密度并降低了系统成本。

　　所有器件均采用英飞凌专有的芯片贴装技术，该技术可为同等芯片尺寸提供出色的热阻。将高度可靠的栅极氧化物设计与英飞凌的资格标准相结合，可提供稳健且长期的性能。

　　这款新型CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列在25°C下拥有8至140 mΩ RDS（on）的精细产品组合，可满足广泛的需求。其设计可确保降低传导和开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，该产品系列创新封装还可最大限度地减少热阻，促进散热，并优化电路内功率环路电感，从而实现高功率密度并降低系统成本。 值得注意的是，该产品系列采用尖端的QDPAK顶部冷却封装。