聚星注册-提款不到账在上期我们介绍了碲化镉 （CdTe） 薄膜电池以及铜铟镓硒 （CIGS） 薄膜电池，但薄膜电池可使用的种类繁多，本期将介绍非晶硅 （a-Si） 薄膜电池以及砷化镓 （GaAs）薄膜电池。

　　1975年，斯皮尔和勒康伯首次观察到非晶硅（a-Si）中的掺杂，一年后的1976年，证明可以制造出非晶硅（a-Si）薄膜太阳能电池。人们对这项技术抱有很大的期望，但这种材料遇见了几个问题，比如相对较差的效率。

　　与其他薄膜太阳能电池板不同，非晶硅（a-Si）电池不包括n-p异质结，而是p-i-n或n-i-p配置，其通过添加i型或本征半导体与n-p异质结不同。通过加工玻璃板或柔性基板来制造非晶硅（a-Si）薄膜太阳能电池板有两种途径。a-Si太阳能电池的效率目前设定为14.0%。不考虑制造非晶硅（a-Si）薄膜太阳能电池板的路线，以下步骤是该过程的一部分：首先，对衬底进行调理，将TCO和背反射器置于沉积过程下，然后将薄的氢化非晶硅（a-Si：H）基层放置在电极上，并通过激光划线和硅层将电池连接成单片系列。该电池最终被组装和封装，应用框架和电气连接。虽然制造非晶硅（a-Si）需要少量的廉价材料，但价格相对昂贵，因为这些面板的导电玻璃价格昂贵且工艺缓慢，使得面板的总成本设置为0.69美元/ W。该技术目前占据了光伏组件零售市场的2.0%。

　　美能能源电流连续性测试系统是专门为IEC61215标准中10.11高低温循环实验条款、10.12湿冻实验条款。主要包括提供稳定直流电、电流记录、温度记录和温度控制功能，通过温度控制直流电源的开启，对多路电流、多路温度长期实时监控。与高低温循环箱配合使用，可对多个组件内部电路导通性监控。判断太阳能电池组件在高低温交变环境下材料的抗疲劳性、层压工艺的合理性、焊接质量的稳定性。

　　砷化镓（GaAs）薄膜太阳能电池板是由佐雷斯·阿尔费罗夫和他的学生于1967年取得突破，1970年制造了第一块砷化镓（GaAs）薄膜太阳能电池。该团队坚持制造砷化镓半导体，大约10年后的1980年，这项技术正在被研究用于宇宙飞船和卫星等特定应用。

　　第一步是生长材料。在此步骤中，GaAs缓冲液通过接受几次温度变化和不同的化学过程在Si底物上生长，最终为细胞创建层。

　　在GaAs缓冲液生长后，对基板进行处理以制造细胞。第一步是沉积铂（Pt）/金（Au）层（10/50 nm），该层将用作GaAs太阳能电池的键合材料和电极，然后在基板上进行键合过程。

　　键合过程完成后，将生长在Si衬底上的GaAs外延层放置在新衬底上。为了完成组装过程，通过电子束蒸发在顶部接触层上沉积20/30/20/200 nm的Pt/钛（Ti）/Pt/Au层。

　　由于GaAs PV电池是由分级缓冲液组成的多接面III-V太阳能电池，因此它们可以实现高达39.2%的高效率，但是制造时间，材料和高生长材料的成本使其成为地面应用的不太可行的选择。砷化镓薄膜太阳能电池的额定效率记录为29.1%。

　　这些III-V薄膜太阳能电池的成本从70美元/瓦增加到170美元/瓦，但NREL表示，未来价格可以降至0.50美元/瓦。由于这是一项如此昂贵的实验性技术，因此它不是大规模生产的，而是主要用于空间应用，市场份额最低。

　　薄膜电池的材料分享就到这里，光伏有着各种各样的产品和技术，「美能光伏」下期会继续分享光伏行业的资讯。返回搜狐，查看更多